半导体元件工业有限责任公司申请形成半导体器皇冠体肓网站，件的方法专利提供一种封装组件

　　皇冠体肓官网，皇冠体肓官网，金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“形成半导体器件的方法”的专利，公开号 CN 119028853 A，申请日期为2019年9月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种提供电连接的装置和一种形成半导体器件的方法。本发明提供了一种半导体封装组件，该半导体封装组件具有连接夹，该连接夹设置在具有不同厚度的第一材料堆叠和第二材料堆叠上并且设置在导电衬底上。该连接夹具有设置在第一材料堆叠上的第一部分和设置在第二材料堆叠上的第二部分，使得第一部分的和第二部分的与导电衬底相对的表面与导电衬底相距相同的垂直距离。例如，在一些实施方式中，当第二材料堆叠的厚度小于第一材料堆叠的厚度时，连接夹的第二部分可以包括设置在第二材料堆叠上以使连接夹的第一部分和第二部分的表面的高度相等的竖直支撑件。

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